STP42N60M2-EP

STMicroelectronics
511-STP42N60M2-EP
STP42N60M2-EP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,144

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/27.40 S/27.40
S/14.83 S/148.30
S/13.78 S/1,378.00
S/12.92 S/6,460.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
34 A
87 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9.5 ns
Serie: STP42N60M2-EP
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 96.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16.5 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.