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STP18N65M2

Name: STMicroelectronics STP18N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP18N65M2
Price: 10.32 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP18N65M2

Fabricante N.º:

STP18N65M2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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	S/10.32	S/10.32
	S/5.76	S/57.60
	S/5.64	S/564.00
	S/4.67	S/2,335.00
	S/4.20	S/4,200.00
	S/3.97	S/7,940.00
	S/3.93	S/19,650.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	275 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	110 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7.5 ns
Serie:	STP18N65M2
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	46 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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