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STP16N65M2

Name: STMicroelectronics STP16N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP16N65M2
Price: 11.02 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP16N65M2

Fabricante N.º:

STP16N65M2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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	S/11.02	S/11.02
	S/7.08	S/70.80
	S/5.06	S/506.00
	S/4.24	S/2,120.00
	S/3.59	S/3,590.00
	S/3.57	S/7,140.00
	S/3.51	S/17,550.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	360 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	19.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	110 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.2 ns
Serie:	STP16N65M2
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11.3 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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