STP120N4F6

STMicroelectronics
511-STP120N4F6
STP120N4F6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI

Modelo ECAD:
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En existencias: 609

Existencias:
609 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/9.69 S/9.69
S/6.85 S/68.50
S/4.87 S/487.00
S/4.01 S/2,005.00
S/3.05 S/3,050.00
S/3.04 S/6,080.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 20 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 70 ns
Serie: STP120N4F6
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99