STP11NM60FDFP

STMicroelectronics
511-STP11NM60FDFP
STP11NM60FDFP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
40 nC
- 65 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 16 ns
Serie: STP11NM60FD
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

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