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STO450N6F7

Name: STMicroelectronics STO450N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO450N6F7
Price: 22.54 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STO450N6F7

Fabricante N.º:

STO450N6F7

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/22.54	S/22.54
	S/16.50	S/165.00
	S/11.95	S/1,195.00
	S/11.91	S/5,955.00
	S/11.13	S/11,130.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800)
	S/11.13	S/20,034.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-LL-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	545 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	850 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	300 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	454 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	90 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	100 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	140 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	55 ns
Peso de la unidad:	697 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.