STL8N6F7

STMicroelectronics
511-STL8N6F7
STL8N6F7

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 6000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/0.926 S/5,556.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
1 Channel
60 V
36 A
19 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
STripFET
Reel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 3.95 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3.25 ns
Serie: STL8N6F7
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 12.1 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7.85 ns
Peso de la unidad: 20 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99