Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

STL320N4F8

Name: STMicroelectronics STL320N4F8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL320N4F8
Price: 11.44 PEN
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-STL320N4F8

Fabricante N.º:

STL320N4F8

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350 A STripFET F8 Power MOSFET

Complete su diseño

Hoja de datos:

STL320N4F8 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics STL320N4F8

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/11.44	S/11.44
	S/7.43	S/74.30
	S/5.45	S/545.00
	S/4.59	S/2,295.00
	S/3.93	S/3,930.00
	S/3.61	S/10,830.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	96 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.5 ns
Serie:	STripFET F8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	89 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12.5 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STL320N4F8 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and offer a comprehensive package solution from 30V to 150V to meet all the requirements for very high-power-density solutions. These low-voltage MOSFETs feature STPOWER STripFET F8 technology. STripFET F8 technology saves energy and ensures low noise in power conversion, motor control, and power distribution circuits by cutting both on-resistance and switching losses while optimizing body-diode properties. The STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs simplify system designs and increase efficiency in applications such as automotive, computer / peripherals, data centers, telecom, solar, power supplies / converters, battery chargers, home / professional appliances, gaming, drones, and more.