STGWA40HP65FB2

STMicroelectronics
511-STGWA40HP65FB2
STGWA40HP65FB2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

Modelo ECAD:
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En existencias: 492

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/14.71 S/14.71
S/9.42 S/94.20
S/8.87 S/887.00
S/6.03 S/3,618.00
S/5.29 S/6,348.00
S/5.22 S/15,660.00
25,200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
72 A
227 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40HP65FB2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 72 A
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 6.100 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

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HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.