STF7NM60N

STMicroelectronics
511-STF7NM60N
STF7NM60N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen

Modelo ECAD:
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/14.29 S/14.29
S/6.89 S/68.90
S/5.96 S/596.00
S/5.37 S/2,685.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
900 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
20 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STF7NM60N
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99