STF24N60M2

STMicroelectronics
511-STF24N60M2
STF24N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/11.76 S/11.76
S/6.54 S/65.40
S/5.92 S/592.00
S/4.79 S/2,395.00
S/4.71 S/4,710.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STF24N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99