STB26NM60N
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
511-STB26NM60N
STB26NM60N
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V
Hoja de datos:
En existencias: 913
-
Existencias:
-
913 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| S/30.56 | S/30.56 | |
| S/21.06 | S/210.60 | |
| S/16.23 | S/1,623.00 | |
| S/16.00 | S/8,000.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000) | ||
| S/14.79 | S/14,790.00 | |
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
PCN
- D2PAK Leads (Pins) Modification (PDF)
- MDmesh II Technology, Power MOSFET Transistors, 8" Wafer size Front-end Capacity Extension - Ang Mo Kio (Singapore) (PDF)
- Product / Process Change Notification (PDF)
- Product Change Notification (PDF)
- Product Change Notification 2024-03-05 (PDF)
- Product Change Notification 2025-7-23 (PDF)
- STMicroelectronics - PCN 5-18-10 (PDF)
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
