STB13NM60N

STMicroelectronics
511-STB13NM60N
STB13NM60N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
S/9.77 S/9,770.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
360 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
MDmesh
Reel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 8 ns
Serie: STB13NM60N
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3 ns
Peso de la unidad: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99