SGT190R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
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S/5.18 S/15,540.00
S/5.06 S/30,360.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: GaN FETs
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
11.5 A
190 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Empaquetado: Reel
Producto: FET
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 4 ns
Serie: SGT
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo: PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico: 1.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 1.4 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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