Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

RF5L15120CB4

Name: STMicroelectronics RF5L15120CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF5L15120CB4
Price: 749.81 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-RF5L15120CB4

Fabricante N.º:

RF5L15120CB4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Complete su diseño

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

RF5L15120CB4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics RF5L15120CB4

En existencias: 18

Existencias:: 18 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Las cantidades superiores a 18 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/749.81	S/749.81
	S/611.28	S/6,112.80
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
	S/601.70	S/60,170.00
500	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	Dual N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	95 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Frecuencia de trabajo:	1 GHz
Ganancia:	20 dB
Potencia de salida:	120 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LBB-5
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RF5L15120CB4 Hoja de datos (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification_2024_07_22 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF5L15120CB4 RF Power LDMOS Transistor features high efficiency and linear gain operations. The RF5L15120CB4 120W LDMOS FET provides a significant positive and negative gate/source voltage range. The device can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.