RF2L15200CB4

STMicroelectronics
511-RF2L15200CB4
RF2L15200CB4

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 100   Múltiples: 100
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
S/611.04 S/61,104.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
Dual N-Channel
Si
65 V
1 Ohms
860 MHz
17.5 dB
200 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 2 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 6 V to + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99