PD85035STR-E

STMicroelectronics
511-PD85035STR-E
PD85035STR-E

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 600)
S/88.83 S/53,298.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
8 A
40 V
1 GHz
14.9 dB
35 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Reel
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Sensibles a la humedad: Yes
Dp - Disipación de potencia : 95 W
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: PD85035-E
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: + 15 V
Peso de la unidad: 3 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99