GANSPIN611

STMicroelectronics
511-GANSPIN611
GANSPIN611

Fabricante:

Descripción:
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

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Mínimo: 1560   Múltiples: 1560
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S/19.58 S/30,544.80
3,120 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición
Tray
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Tipo de producto: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie: GANSPIN
Cantidad de empaque de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Nombre comercial: GaNSPIN
Peso de la unidad: 194 mg
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GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge is an advanced power system-in-package integrating two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration driven by a state-of-the-art high-voltage, high-frequency gate driver. The integrated power GaNs have an RDS(ON) of 138mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage, while the integrated bootstrap diode can easily supply the high side of the embedded gate driver.