KTDM4G3C618BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C618BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C618BGCEAT
Price: 41.92 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

473-M4G3C618BGCEAT

Fabricante N.º:

KTDM4G3C618BGCEAT

Fabricante:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial

Hoja de datos:

KTDM4G3C618BGCEAT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre SMARTsemi KTDM4G3C618BGCEAT

En existencias: 3,923

Existencias:: 3,923 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/41.92	S/41.92
	S/40.75	S/407.50
	S/34.68	S/6,866.64
	S/33.83	S/20,095.02
	S/33.55	S/39,857.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	933 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	256 M x 16
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.575 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	198
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

KTDM4G3C618BGCEAT Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.