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RQ5C025TPTL

Name: ROHM Semiconductor RQ5C025TPTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ5C025TPTL
Price: 3.19 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ5C025TPTL

Fabricante N.º:

RQ5C025TPTL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -2.5A Small Signal MOSFET

Hoja de datos:

RQ5C025TPTL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/3.19	S/3.19
	S/2.11	S/21.10
	S/1.40	S/140.00
	S/1.07	S/535.00
	S/0.969	S/969.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.771	S/2,313.00
	S/0.736	S/4,416.00
	S/0.67	S/6,030.00
	S/0.662	S/15,888.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-346-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	95 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	RQ5C025TP
Peso de la unidad:	12 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.