Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

RGEX5TS65DGC13

Name: ROHM Semiconductor RGEX5TS65DGC13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGEX5TS65DGC13
Price: 37.25 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-RGEX5TS65DGC13

Fabricante N.º:

RGEX5TS65DGC13

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

RGEX5TS65DGC13 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor RGEX5TS65DGC13

En existencias: 600

Existencias:: 600 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 600 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/37.25	S/37.25
	S/22.11	S/221.10
	S/19.50	S/1,950.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247GE-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	102 A
Dp - Disipación de potencia :	306 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Máx. corriente continua Ic del colector:	75 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RGEX5TS65DGC13 Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGE Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGE Field Stop Trench IGBTs feature low collector-emitter saturation voltage, low switching loss, and a short circuit withstand time of 5μs. The ROHM Semiconductor RGE IGBTs ensure reliable operation under high-stress conditions. The built-in fast and soft recovery FRD enhances efficiency, while Pb-free lead plating ensures RoHS compliance. Perfect for general inverters, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, power conditioners, and welders, the RGE series provides a robust solution for modern power management needs.