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TGS2352-2-SM

Name: Qorvo TGS2352-2-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGS2352-2-SM
Price: 710.5 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-TGS2352-2-SM

Fabricante N.º:

TGS2352-2-SM

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Circuitos integrados de interruptores de RF .5-12GHz SPDT GaN IL < 1dB

Hoja de datos:

TGS2352-2-SM Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/710.50	S/710.50
	S/533.35	S/13,333.75
100	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptores de RF
RoHS:
Configuración de interruptor:	SPDT
Frecuencia mínima:	500 MHz
Frecuencia máxima:	12 GHz
Pérdida por inserción:	1 dB
Aislamiento en modo apagado - típica:	35 dB
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-22
Tecnología:	Si
Serie:	TGS2352
Empaquetado:	Waffle
Marca:	Qorvo
Voltaje de control alto:	0 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de interruptores:	Single
Tiempo apagado - Máx.:	18 ns
Tiempo encendido - Máx.:	31 ns
Dp - Disipación de potencia :	5 W
Tipo de producto:	RF Switch ICs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º:	TGS2352 1075674
Peso de la unidad:	9.245 g

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
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KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.