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QPD2160D

Name: Qorvo QPD2160D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2160D
Price: 110.51 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD2160D

Fabricante N.º:

QPD2160D

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Tipo de transistor:	pHEMT
Empaquetado:	Reel
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	RF JFET Transistors
Serie:	QPD2160D
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors

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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

pHEMT GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D

El pHEMT (transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones) GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D de Qorvo cuenta con una frecuencia operativa de CC a 20 GHz.El QPD2160D normalmente proporciona 32.5 dBm de potencia de salida a P1dB con una ganancia de 10.4 dB y un 63 % de eficiencia de potencia agregada a una compresión de 1 dB. Este rendimiento hace que el QPD2160D sea adecuado para aplicaciones de alta eficiencia.