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QPD2018D

Name: Qorvo QPD2018D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2018D
Price: 35.77 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD2018D

Fabricante N.º:

QPD2018D

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Tipo de transistor:	pHEMT
Tecnología:	GaAs
Ganancia:	14 dB
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	0.41 mm x 0.34 mm
Empaquetado:	Reel
Marca:	Qorvo
NF - Figura de ruido:	1 dB
Tipo de producto:	RF JFET Transistors
Serie:	QPD2018D
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors

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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. This proven process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.