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QPD1028L

Name: Qorvo QPD1028L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1028L
Price: 5797.88 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1028L

Fabricante N.º:

QPD1028L

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	NI-780
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Id - Corriente de drenaje continua:	19 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	400 W
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	19.8 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	750 W
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1028L
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN SiC
Tipo de transistor:	HEMT

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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors

Qorvo QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.