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QPD1003

Name: Qorvo QPD1003
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1003
Price: 6764.62 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1003

Fabricante N.º:

QPD1003

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

Hoja de datos:

QPD1003 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	RF-565
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	370 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD1003PCB401
Ganancia:	19.9 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	1.4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.2 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	540 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1003
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	145 V
Alias de las piezas n.º:	1131389
Peso de la unidad:	104.655 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.