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QPA2213

Name: Qorvo QPA2213
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA2213
Price: 860.28 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPA2213

Fabricante N.º:

QPA2213

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Amplificador de RF 2-20 GHz, 2 W GaN Amp

Hoja de datos:

QPA2213 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/860.28	S/860.28
	S/736.42	S/7,364.20
	S/705.48	S/21,164.40
100	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	2 GHz to 20 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	18 V
Corriente de suministro operativa:	330 mA
Ganancia:	21.4 dB
NF - Figura de ruido:	5.3 dB
Tipo:	Driver Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tecnología:	GaN SiC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	QPA2213
Empaquetado:	Bag
Marca:	Qorvo
Kit de desarrollo:	QPA2213EVB1
Pérdida de retorno de entrada:	29 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	13.7 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	20 GHz
Peso de la unidad:	38.082 g

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Models

QPA2213 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

QPA2213 & QPA2213D Wideband Driver Amplifiers

Qorvo QPA2213 and QPA2213D are wideband driver amplifiers that support various operating systems. These amplifiers are ideal for both commercial and military wideband or narrowband systems. Qorvo QPA2213 & QPA2213D Wideband Driver Amplifiers have a frequency range of 2GHz to 20GHz. Its thermal properties can support a range of bias voltages and have DC-blocking capacitors on both RF ports, which are matched to 50Ω. QPA2213 is a packaged wideband driver amplifier. QPA2213D is a wideband driver Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) and the DIE version in the series. Both amplifiers are fabricated on its 0.15µm Gallium Nitride (GaN) on the SiC process (QGaN15). These amplifiers also provide a 2W saturated output power and 16dB signal gain while achieving more than 23% power-added efficiency.