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QPA1724

Name: Qorvo QPA1724
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA1724
Price: 2037.72 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPA1724

Fabricante N.º:

QPA1724

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Amplificador de RF 20W, 17.3-21.2 GHz PA, Pkg

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	17.3 GHz to 21.2 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	20 V
Corriente de suministro operativa:	396 mA
Ganancia:	25 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tecnología:	GaN SiC
P1dB: punto de compresión:	43 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	29 dBm
Serie:	QPA1724
Empaquetado:	Reel
Marca:	Qorvo
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.c

QPA1724 Ku/K-Band GaN Power Amplifier

Qorvo QPA1724 Ku- K-Band GaN Power Amplifier is optimized for 17.3GHz to 21.2GHz, delivering 20W of saturated output power with 16dB of large signal gain while achieving 27% power-added efficiency. To simplify system integration, the QPA1724 is fully matched to 50Ω with DC grounded I/O ports for optimum ESD performance. The device also features on-chip blocking capacitors following the DC grounds on the input and output ports. The QPA1724 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.