PCDD0865G1_L2_00001

Name: Panjit PCDD0865G1_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PCDD0865G1L20001
Price: 7.28 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

241-PCDD0865G1L20001

Fabricante N.º:

PCDD0865G1_L2_00001

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252AA-3
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	480 A
Ir - Corriente inversa:	3 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Gen.1
Empaquetado:	Reel
Marca:	Panjit
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	83.3 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	321.700 mg

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.