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PXN7R7-25QLJ

Name: Nexperia PXN7R7-25QLJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PXN7R7-25QLJ
Price: 1.63 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PXN7R7-25QLJ

Fabricante N.º:

PXN7R7-25QLJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 25V 11.8A

Hoja de datos:

PXN7R7-25QLJ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.63	S/1.63
	S/1.02	S/10.20
	S/0.817	S/81.70
	S/0.779	S/389.50
	S/0.747	S/747.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.705	S/2,115.00
	S/0.697	S/4,182.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT8002-1-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	19 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	16.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	4.3 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	25 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	934661599118

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Hoja de datos

PXN7R7-25QLJ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET MLPAK33

Los MOSFET MLPAK33 de Nexperia ofrecen un voltaje puerta-fuente máximo de 20 V y una resistencia en estado de drenaje a fuente de hasta 275 mΩ. Estos MOSFET se incluyen en un paquete MLPAK33 y se dividen en dos series: PXN y PXP. Los MOSFET de tipo trinchera de canal N PXN son compatibles con nivel lógico y cuentan con tecnología MOSFET de trinchera, Q_G y Q_GD ultrabaja para lograr una alta eficiencia del sistema y conmutación súper rápida con recuperación suave. Los MOSFET de tipo trinchera de canal P PXP ofrecen un bajo perfil de 0.8 mm y baja resistencia térmica. Los MOSFET MLPAK33 de Nexperia tienen un rango de temperatura ambiente de -55 °C a +150 °C.