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PSMN1R6-30MLHX

Name: Nexperia PSMN1R6-30MLHX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R6-30MLHX
Price: 2.06 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PSMN1R6-30MLHX

Fabricante N.º:

PSMN1R6-30MLHX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK

Hoja de datos:

PSMN1R6-30MLHX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/2.06	S/3,090.00
	S/1.98	S/5,940.00
	S/1.97	S/17,730.00
24,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	160 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	41 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	106 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	24 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	34 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Alias de las piezas n.º:	934660071115
Peso de la unidad:	100.200 mg

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Hoja de datos

PSMN1R6-30MLHX Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel 30V MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel 30V MOSFETs feature NextPowerS3 technology that delivers low R_DSon and low I_DSS leakage in an LFPAK package. The LFPAK package provides high reliability and is qualified for 175°C. These MOSFETs include best-in-class Safe Operating Area (SOA). The PSMN MOSFETs have low leakage of less than 1μA at 25°C and are optimized for 4.5V gate drive. These MOSFETs feature -55°C to 175°C, both junction temperature and storage temperature. The Nexperia PSMN MOSFETs are ideal for hot-swap, power OR-ing, battery protection, brushed and BLDC motor control, and synchronous rectification in AC-DC and DC-DC applications.