Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MGD3162AM550EKT

Name: NXP MGD3162AM550EKT
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MGD3162AM550EKT
Price: 44.02 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-MGD3162AM550EKT

Fabricante N.º:

MGD3162AM550EKT

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

Hoja de datos:

MGD3162AM550EKT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre NXP Semiconductors MGD3162AM550EKT

En existencias: 1,076

Existencias:: 1,076

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 704

Se espera el 21/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/44.02	S/44.02
	S/34.41	S/344.10
	S/32.00	S/800.00
	S/29.39	S/2,939.00
	S/27.64	S/4,864.64
	S/27.21	S/14,366.88
	S/27.17	S/28,691.52
2,640	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	GD3162
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-32
Número de canales:	1 Channel
Voltaje de aislamiento:	8 kVrms
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	NXP Semiconductors
Sensibles a la humedad:	Yes
Producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	500 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	176
Voltaje de alimentación - Máx.:	6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.75 V
Tipo:	IGBT/SiC Gate Driver
Alias de las piezas n.º:	935451598557

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MGD3162AM550EKT Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Electric Vehicle (EV) Traction Inverters

NXP Semiconductors Electric Vehicle (EV) Traction Inverters are critical devices in electric vehicles that convert DC power from the battery to AC power to drive the traction motor. The inverters provide high power levels from 80kW to over 200kW to withstand high temperatures while being lightweight.

Controladores avanzados de puertas IGBT/SiC GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.