AFM906NT1
Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto
Ver especificaciones del producto
841-AFM906NT1
AFM906NT1
Fabricante:
Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
Hoja de datos:
En existencias: 1,038
-
Existencias:
-
1,038 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/14.44 | S/14.44 | |
| S/10.86 | S/108.60 | |
| S/9.96 | S/249.00 | |
| S/8.99 | S/899.00 | |
| S/8.91 | S/2,227.50 | |
| S/8.60 | S/4,300.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000) | ||
| S/7.12 | S/7,120.00 | |
Hoja de datos
- CNHTS:
- 8541210000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8542330001
- JPHTS:
- 8541290100
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
