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GALI-1+

Name: Mini-Circuits GALI-1+
Brand: Mini-Circuits
SKU: 139-GALI-1
Price: 13.27 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

139-GALI-1

Fabricante N.º:

GALI-1+

Fabricante:

Mini-Circuits

Descripción:

Amplificador de RF ML AMPL / SURF MT / RoHS

Hoja de datos:

GALI-1+ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/13.27	S/13.27
	S/6.77	S/135.40
	S/6.23	S/623.00
	S/5.92	S/1,184.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/5.68	S/5,680.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Mini-Circuits
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	0 Hz to 8 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	3.4 V
Corriente de suministro operativa:	40 mA
Ganancia:	11 dB
NF - Figura de ruido:	4.5 dB
Tipo:	Gain Block Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-89-4
Tecnología:	InGaP
P1dB: punto de compresión:	12.2 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	27 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 45 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	GALI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Mini-Circuits
Pérdida de retorno de entrada:	11.5 dB
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	8 GHz

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

GALI RF Amplifiers

Mini-Circuits GALI RF Amplifiers are wideband amps that supply a high dynamic range. The GALI amps offer a repeatable performance from lot to lot and are housed in an SOT-89 package. The devices employ a patented Transient Protected Darlington configuration and are fabricated using InGaP HBT technology. The expected MTTF is 13,000 years at 85°C case temperature. The Mini-Circuits GALI RF Amplifiers are designed to be rugged for ESD and supply switch-on transients.