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MSCSM120TAM31CT3AG

Name: Microchip MSCSM120TAM31CT3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120TAM31CT3AG
Price: 1093.87 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

494-120TAM31CT3AG

Fabricante N.º:

MSCSM120TAM31CT3AG

Fabricante:

Microchip Technology

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	3-Phase Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SP3F
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Microchip Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	25 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	89 A
Dp - Disipación de potencia :	395 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V