MSCSM120AM02CT6LIAG

Microchip Technology
494-SM120AM02CT6LIAG
MSCSM120AM02CT6LIAG

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

Modelo ECAD:
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En existencias: 8

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
SMD/SMT
SP6
- 40 C
+ 125 C
Marca: Microchip Technology
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 67 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 947 A
Dp - Disipación de potencia : 3.75 kW
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 2.6 mOhms
Tiempo de subida: 55 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 166 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 56 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (Tc) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.