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APT12M80B

Name: Microchip APT12M80B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APT12M80B
Price: 19.07 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-APT12M80B

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APT12M80B

Fabricante:

Microchip Technology

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	S/19.07	S/19.07
	S/16.50	S/1,650.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	800 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	80 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	335 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Peso de la unidad:	6 g