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SI5618A-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SI5618A-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SI5618A-TP
Price: 2.1 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-SI5618A-TP

Fabricante N.º:

SI5618A-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos:

SI5618A-TP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/2.10	S/2.10
	S/1.30	S/13.00
	S/0.833	S/83.30
	S/0.627	S/313.50
	S/0.564	S/564.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.502	S/1,506.00
	S/0.44	S/2,640.00
	S/0.401	S/3,609.00
	S/0.381	S/9,144.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	160 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	10.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5.9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SI5618A
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.