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BSS84HE3-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) BSS84HE3-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-BSS84HE3-TP
Price: 1.83 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-BSS84HE3-TP

Fabricante N.º:

BSS84HE3-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos:

BSS84HE3-TP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/1.83	S/1.83
	S/1.35	S/13.50
	S/0.767	S/76.70
	S/0.518	S/259.00
	S/0.393	S/393.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.323	S/969.00
	S/0.292	S/1,752.00
	S/0.249	S/2,241.00
	S/0.241	S/5,784.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	1.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	77 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	BSS84
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.6 ns

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.