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PXAE263708NB-V1-R0

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R0
Price: 259.01 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-PXAE263708NBV1R0

Fabricante N.º:

PXAE263708NB-V1-R0

Fabricante:

MACOM

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Hoja de datos:

PXAE263708NB-V1-R0 Hoja de datos (PDF)

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N.º de artículo del Fabricante:

PXAE263708NB-V1-R2

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/459.24

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Frecuencia de trabajo:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Ganancia:	13.5 dB
Potencia de salida:	400 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	HB2SOF-8-1
Empaquetado:	Reel
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V to + 10 V

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PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

FET LDMOS y JFET de RF 5G

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar.