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CMPA901A035F

Name: MACOM CMPA901A035F
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA901A035F
Price: 3889.27 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CMPA901A035F

Fabricante N.º:

CMPA901A035F

Fabricante:

MACOM

Descripción:

Amplificador de RF 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange

Hoja de datos:

CMPA901A035F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	9 GHz to 11 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	28 V
Corriente de suministro operativa:	1.5 A
Ganancia:	23 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	Screw
Tecnología:	GaN
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	- 23 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	MACOM
Kit de desarrollo:	CMPA901A035F-AMP
Pérdida de retorno de entrada:	- 5 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	35 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	11 GHz

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.b.2

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.