IFN5911

Name: InterFET IFN5911
Brand: InterFET
SKU: 106-IFN5911
Price: 150.8 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

106-IFN5911

Fabricante N.º:

IFN5911

Fabricante:

InterFET

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -25V Low Ciss

Hoja de datos:

IFN5911 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	InterFET
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-78-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Dual
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 25 V
Voltaje de corte puerta-fuente:	- 5 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	40 mA
Id - Corriente de drenaje continua:	5 mA
Dp - Disipación de potencia :	500 mW (1/2 W)
Serie:	IFN591
Empaquetado:	Bulk
Marca:	InterFET
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3000 uS
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	3.372 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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	S/108.68	S/10,868.00
500	Presupuesto

IFN5911

Fabricante: InterFET

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