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ISC046N13NM6ATMA1

Name: Infineon ISC046N13NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC046N13NM6ATMA
Price: 20.05 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-ISC046N13NM6ATMA

Fabricante N.º:

ISC046N13NM6ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/20.05	S/20.05
	S/13.35	S/133.50
	S/9.54	S/954.00
	S/9.11	S/4,555.00
	S/8.60	S/8,600.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	S/8.49	S/42,450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	135 V
Id - Corriente de drenaje continua:	142 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	211 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	7.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Alias de las piezas n.º:	ISC046N13NM6 -