IPP65R090CFD7XKSA1
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726-P65R090CFD7XKSA1
IPP65R090CFD7XKSA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Hoja de datos
Product Catalogs
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- China
- País de difusión:
- Alemania
En existencias: 774
-
Existencias:
-
774 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/26.16 | S/26.16 | |
| S/13.90 | S/139.00 | |
| S/12.69 | S/1,269.00 | |
| S/11.05 | S/5,525.00 | |
| S/10.59 | S/10,590.00 | |
| S/10.35 | S/25,875.00 | |
| 5,000 | Presupuesto |