IPP65R090CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-P65R090CFD7XKSA1
IPP65R090CFD7XKSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 774

Existencias:
774 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/18.96 S/18.96
S/11.25 S/112.50
S/10.28 S/1,028.00
S/9.65 S/4,825.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
700 V
25 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
53 nC
- 55 C
+ 150 C
127 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: IPP65R090CFD7 SP005413363
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99