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IXTQ180N10T

Name: IXYS IXTQ180N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ180N10T
Price: 13.66 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTQ180N10T

Fabricante N.º:

IXTQ180N10T

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds

Hoja de datos:

IXTQ180N10T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3P-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	180 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.4 mOhms
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	480 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	31 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	54 ns
Serie:	IXTQ180N10
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	42 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns
Peso de la unidad:	5.500 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

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