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IXTN8N150L

Name: IXYS IXTN8N150L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN8N150L
Price: 191.74 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTN8N150L

Fabricante N.º:

IXTN8N150L

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 8 Amps 1500V

Hoja de datos:

IXTN8N150L Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/191.74	S/191.74
	S/159.67	S/1,596.70
	S/152.66	S/15,266.00
5,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.5 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	7.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	545 W
Serie:	IXTN8N150
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	95 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Linear Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	90 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	36 ns
Vr - Tensión inversa:	100 V
Peso de la unidad:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.