IXTN200N10T

IXYS
747-IXTN200N10T
IXTN200N10T

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 100V 200A

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/144.92 S/144.92
S/107.67 S/1,076.70
S/96.34 S/9,634.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
200 A
5.5 mOhms
- 20 V, + 20 V
- 55 C
+ 175 C
550 W
IXTN200N10T- Gen1
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tipo de producto: MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: HiPerFET
Tipo: Trench
Vr - Tensión inversa: 50 V
Peso de la unidad: 30 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541900080
JPHTS:
8542900006
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

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