IXTA2N100
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747-IXTA2N100
IXTA2N100
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 1000V 7 Rds
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 1000V 7 Rds
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/16.19 | S/4,857.00 | |
| S/14.40 | S/7,200.00 | |
| S/12.34 | S/12,340.00 |
Hoja de datos
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541500000
- MXHTS:
- 85415001
- ECCN:
- EAR99
