IXTA220N04T2-TRL

IXYS
747-IXTA220N04T2-TRL
IXTA220N04T2-TRL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA220N04T2 TRL

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
220 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
360 W
Enhancement
TrenchT2
Reel
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 40 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 21 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 31 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 1.600 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TrenchT2™ Standard/HiPerFET™ Power MOSFETs

Littelfuse TrenchT2™ Standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are enhancement mode, single- or dual-channel MOSFETs offering high current carrying capabilities (up to 600A). These devices feature a low drain-source on resistance (3.5mΩ to 22mΩ) and gate charge (25.5nC to 178nC) within a wide -55°C to +175°C operating temperature range. Available in various compact packages, the TrenchT2 MOSFETs are ideal for low voltage, high current power conversion systems.