IXFT20N80P

IXYS
747-IXFT20N80P
IXFT20N80P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/36.04 S/36.04
S/26.82 S/268.20
S/22.30 S/2,676.00
S/19.89 S/10,143.90
S/18.57 S/18,941.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-268-3
N-Channel
1 Channel
800 V
20 A
520 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
86 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 24 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 14 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 24 ns
Serie: IXFT20N80
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 85 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Peso de la unidad: 4.500 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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